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SP8M9TB

廠(chǎng)家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 8-SOP
數(shù)量:
 990  
說(shuō)明:
 MOSFET N+P 30V 9A/5A 8-SOIC
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SP8M9TB-8-SOP圖片

SP8M9TB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫歐 @ 9A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs21nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9A, 5A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1190pF @ 10V
功率 - 最大2W
安裝類(lèi)型表面貼裝

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