色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SIZ916DT-T1-GE3

SIZ916DT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-PowerPair?（6x5）
數量：: 8406
說明：: MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV

一、本商品被瀏覽0次.

SIZ916DT-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：23 ns, 66 ns
商標名：TrenchFET Gen IV
上升時間：20 ns, 83 ns
功率耗散：22.7 W, 100 W
柵極電荷 Qg：7.2 nC, 45 nC
下降時間：5 ns, 10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR 6 x 5
安裝風格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.3 mOhms at 10 V
漏極連續電流：16 A, 40 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ916DT-T1-GE3的詳細信息，包括SIZ916DT-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ