色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIZ920DT-T1-GE3

SIZ920DT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-PowerPair?（6x5）
數(shù)量：: 8424
說明：: MOSFET 30V 40A 100W 7.1mohm @ 10V

一、本商品被瀏覽0次.

SIZ920DT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIZ920DT-GE3
功率耗散：100 W
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR 6x5
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0071 Ohms
漏極連續(xù)電流：40 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ920DT-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIZ920DT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ