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SIZ700DT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-PowerPair?
數量：: 4923
說明：: MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V

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SIZ700DT-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIZ700DT-GE3
典型關閉延遲時間：25 ns, 47 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：9 ns, 8 ns
功率耗散：2.36 W, 2.8 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：60 S, 100 S
下降時間：8 ns, 10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.007 Ohms, 0.0047 Ohms
漏極連續電流：16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ700DT-T1-GE3的詳細信息，包括SIZ700DT-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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