色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<u id="mlsjt"></u>

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIZ300DT-T1-GE3

SIZ300DT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-PowerPair?
數(shù)量：: 8333
說(shuō)明：: MOSFET 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V

一、本商品被瀏覽0次.

SIZ300DT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SIZ300DT-GE3
上升時(shí)間：45 ns, 80 ns
功率耗散：3.7 W, 4.2 W
柵極電荷 Qg：7.4 nC, 14.2 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：30 S
下降時(shí)間：10 ns, 40 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.02 Ohms, 0.009 Ohms
漏極連續(xù)電流：9.8 A, 14.9 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ300DT-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIZ300DT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ