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SIHP8N50D-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數量:
 5527  
說明:
 MOSFET 500V 8A 850mOhm @ 10V
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SIHP8N50D-GE3-TO-220-3圖片

SIHP8N50D-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIHP8N50D-E3
上升時間:16 ns
功率耗散:156 W
柵極電荷 Qg:15 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :3 S
下降時間:11 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):850 mOhms
漏極連續電流:8.7 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP8N50D-GE3的詳細信息,包括SIHP8N50D-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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