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SIHU5N50D-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
數量：: 5292
說明：: MOSFET 500V 5A 1.5Ohm @ 10V

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SIHU5N50D-GE3-TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA圖片

SIHU5N50D-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIHU5N50D-E3
上升時間：11 ns
功率耗散：104 W
柵極電荷 Qg：10 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：1.8 S
下降時間：11 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-251
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.5 Ohms
漏極連續電流：5.3 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHU5N50D-GE3的詳細信息，包括SIHU5N50D-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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