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SIHP22N60E-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 -
數(shù)量:
 5121  
說明:
 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
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SIHP22N60E-GE3--圖片

SIHP22N60E-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:59 ns
上升時間:68 ns
功率耗散:227 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:86 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :6.4 S
下降時間:54 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-220AB-3
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):180 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:21 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP22N60E-GE3的詳細(xì)信息,包括SIHP22N60E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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