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SIHP30N60E-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 -
數量:
 5175  
說明:
 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
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SIHP30N60E-GE3--圖片

SIHP30N60E-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-220AB-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):125 mOhms at 10 V
漏極連續電流:29 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP30N60E-GE3的詳細信息,包括SIHP30N60E-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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