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SIA921EDJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6 雙
數量:
 14198  
說明:
 MOSFET -20V 59mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III
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SIA921EDJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 雙圖片

SIA921EDJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIA921EDJ-GE3
典型關閉延遲時間:25 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:12 ns
功率耗散:7.8 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :11 S
下降時間:10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SC-70-6 Dual
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):59 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流:- 4.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA921EDJ-T1-GE3的詳細信息,包括SIA921EDJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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