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SIA923EDJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6 雙
數量：: 4695
說明：: MOSFET -20V 54mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III

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SIA923EDJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIA923EDJ-GE3
功率耗散：1.9 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：16.3 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：11 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6 Dual
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：54 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：- 4.5 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIA923EDJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA923EDJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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