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SI7860DP-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK SO-8
數(shù)量:
 963  
說(shuō)明:
 MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V
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SI7860DP-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:46 ns
商標(biāo)名:TrenchFET/PowerPAK
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:12 ns
功率耗散:1.8 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):9.5 mOhms
漏極連續(xù)電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI7860DP-T1的詳細(xì)信息,包括SI7860DP-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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