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SI7866DP-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK SO-8
數量:
 5355  
說明:
 MOSFET 20V 29A 5.4W 2.5mohm @ 10V
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SI7866DP-T1 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:105 ns
商標名:TrenchFET
工廠包裝數量:3000
上升時間:60 ns
功率耗散:5.4 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:60 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2.5 mOhms
漏極連續電流:29 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:過渡期間
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI7866DP-T1的詳細信息,包括SI7866DP-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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