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SI7866DP-T1

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 PowerPAK SO-8
數量：
 5355  
說明：
 MOSFET 20V 29A 5.4W 2.5mohm @ 10V
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SI7866DP-T1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：105 ns
商標名：TrenchFET
工廠包裝數量：3000
上升時間：60 ns
功率耗散：5.4 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：60 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.5 mOhms
漏極連續電流：29 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：過渡期間
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7866DP-T1的詳細信息，包括SI7866DP-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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