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SI7858BDP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數量:
 8523  
說明:
 MOSFET N-CH 8-SOIC
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SI7858BDP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SI7858BDP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.5 毫歐 @ 15A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:40A
Id 時的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:84nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :5760pF @ 6V
功率 - 最大:48W
安裝類型:表面貼裝

以上是SI7858BDP-T1-GE3的詳細信息,包括SI7858BDP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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