色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 電源 > 電源管理 IC > 開關變換器、穩壓器與控制器 > SI7703EDN-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數量：: 8163
說明：: MOSFET 20V 6.3A 2.8W 48mohm @ 4.5V

一、本商品被瀏覽0次.

SI7703EDN-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI7703EDN-GE3
典型關閉延遲時間：23 ns
商標名：TrenchFET
工廠包裝數量：3000
上升時間：6 ns
功率耗散：1.3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：48 mOms
漏極連續電流：4.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7703EDN-T1-GE3的詳細信息，包括SI7703EDN-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產品：

軟開關 PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關變換器、穩壓器與控制器最新產品：