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SI7772DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數(shù)量：: 8244
說明：: MOSFET 30V 35.6A 29.8W 13mohm @ 10V

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SI7772DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI7772DP-GE3
功率耗散：29.8 W
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.013 Ohms
漏極連續(xù)電流：35.6 A
閘/源擊穿電壓：2.5 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7772DP-T1-GE3的詳細信息，包括SI7772DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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