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SI6552DQ-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TSSOP-8
數量：: 8820
說明：: MOSFET 20V/12V

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SI6552DQ-T1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：56 ns, 43 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：66 ns, 35 ns
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：16 nC, 9 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：12 S, 7 S
下降時間：66 ns, 35 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：80 mOhms, 100 mOhms
漏極連續電流：+/- 2.8 A, +/- 2.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V, - 12 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI6552DQ-T1的詳細信息，包括SI6552DQ-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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