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SI6562DQ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-TSSOP
數量：: 5796
說明：: MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 30/50mohm @ 4.5V

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SI6562DQ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI6562DQ-GE3
典型關閉延遲時間：50 ns at N Channel, 57 ns at P Channel
工廠包裝數量：3000
上升時間：40 ns at N Channel, 30 ns at P Channel
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：40 ns at N Channel, 30 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：30 mOhms, 50 mOhms
漏極連續電流：4.5 A, 3.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI6562DQ-T1-GE3的詳細信息，包括SI6562DQ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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