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SI4973DY-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC
數量:
 4311  
說明:
 MOSFET P-CHANNEL 25V
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SI4973DY-T1-E3-8-SOIC圖片

SI4973DY-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI4973DY-E3
典型關閉延遲時間:115 ns
商標名:TrenchFET
工廠包裝數量:2500
上升時間:15 ns
功率耗散:1.1 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :22 S
下降時間:90 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):23 mOhms
漏極連續電流:5.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4973DY-T1-E3的詳細信息,包括SI4973DY-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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