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SI4982DY-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數量:
 7047  
說明:
 MOSFET 100V 2.6A 2W
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SI4982DY-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:30 ns
上升時間:10 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:10 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):150 mOhms
漏極連續電流:2.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4982DY-E3的詳細信息,包括SI4982DY-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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