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SI4559EY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數量:
 4410  
說明:
 MOSFET 60V 4.5/3.1A 2.4W 55/120mohm @ 10V
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SI4559EY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI4559EY-GE3
工廠包裝數量:2500
功率耗散:2.4 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):55 mOhms, 120 mOhms
漏極連續電流:4.5 A, 3.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4559EY-T1-GE3的詳細信息,包括SI4559EY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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