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SI4562DY-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數量:
 3924  
說明:
 MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W
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SI4562DY-T1 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:90 ns, 95 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:40 ns, 32 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:40 ns, 45 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):25 mOhms, 33 mOhms
漏極連續電流:7.1 A, 6.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

以上是SI4562DY-T1的詳細信息,包括SI4562DY-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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