色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SI4558DY-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數量:
 4347  
說明:
 MOSFET 30V 6A 2.4W
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
暫無電子元件圖

SI4558DY-E3 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

典型關閉延遲時間:27 ns, 38 ns
工廠包裝數量:100
上升時間:12 ns
功率耗散:2.4 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:24 ns, 25 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):40 mOhms
漏極連續電流:6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4558DY-E3的詳細信息,包括SI4558DY-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 富源县| 紫阳县| 灵宝市| 保德县| 车致| 屏边| 长宁区| 庆云县| 西丰县| 济南市| 区。| 临漳县| 清新县| 沁源县| 梁平县| 平阴县| 保亭| 万盛区| 沈丘县| 谷城县| 西安市| 怀集县| 苗栗县| 钟山县| 永吉县| 溧水县| 阿拉善右旗| 前郭尔| 丰原市| 吴桥县| 滁州市| 浦城县| 济南市| 宿州市| 铜陵市| 雷州市| 宁海县| 兴山县| 渝中区| 遂平县| 仙桃市|