色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI4554DY-T1-GE3

SI4554DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數量：: 846
說明：: MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH

一、本商品被瀏覽0次.

SI4554DY-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：17 ns, 40 ns
上升時間：12 ns, 40 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：6.5 nC, 21.7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：27 S, 25 S
下降時間：7 ns, 18 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.024 Ohms, 0.027 Ohms
漏極連續電流：6.8 A, - 6.6 A
汲極/源極擊穿電壓：40 V, - 40 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4554DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4554DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1