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SI4500BDY-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 3951
說明：: MOSFET 20V 9.1/5.3A 1.3W

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SI4500BDY-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：31 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
商標(biāo)名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：50 ns at N Channel, 35 ns at P Channel
功率耗散：1.3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：50 ns at N Channel, 35 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：20 mOhms, 60 mOhms
漏極連續(xù)電流：6.6 A, 3.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4500BDY-T1的詳細(xì)信息，包括SI4500BDY-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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