色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<nav id="y0aa6"></nav>

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI4500DY-E3

SI4500DY-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 4104
說(shuō)明：: MOSFET 20V 7/4.5A 2.5W

一、本商品被瀏覽0次.

SI4500DY-E3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：50 ns, 57 ns
上升時(shí)間：40 ns, 32 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：20 ns, 40 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：30 mOhms, 65 mOhms
漏極連續(xù)電流：7 A, 4.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4500DY-E3的詳細(xì)信息，包括SI4500DY-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1