色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SI4464DY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC
數量:
 2313  
說明:
 MOSFET 200V 2.2A 2.5W 240mohm @ 10V
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
SI4464DY-T1-GE3-8-SOIC圖片

SI4464DY-T1-GE3 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

零件號別名:SI4464DY-GE3
典型關閉延遲時間:15 ns
工廠包裝數量:2500
功率耗散:1.5 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):240 mOhms
漏極連續(xù)電流:1.7 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4464DY-T1-GE3的詳細信息,包括SI4464DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 青浦区| 土默特左旗| 郓城县| 洛扎县| 苍山县| 澄江县| 调兵山市| 西昌市| 三河市| 隆林| 辰溪县| 明水县| 乌兰浩特市| 桂平市| 汉中市| 宜都市| 昂仁县| 塔河县| 房山区| 信阳市| 左贡县| 宜兴市| 丰台区| 微山县| 乐山市| 屏边| 辽宁省| 密山市| 娱乐| 青冈县| 房山区| 隆尧县| 大埔县| 长子县| 东方市| 泾川县| 项城市| 天气| 乐山市| 仁寿县| 济源市|