色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SI4466DY-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SO-8
數量:
 3744  
說明:
 MOSFET 20V 13.2A 2.5W
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
暫無電子元件圖

SI4466DY-E3 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

典型關閉延遲時間:150 ns
商標名:TrenchFET
工廠包裝數量:100
上升時間:15 ns
功率耗散:1.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:15 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):9 mOhms
漏極連續電流:9.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4466DY-E3的詳細信息,包括SI4466DY-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 宁国市| 明光市| 许昌市| 郴州市| 南丰县| 河北区| 潮州市| 延川县| 西吉县| 阿克陶县| 鱼台县| 葵青区| 富裕县| 孟州市| 永靖县| 勐海县| 乐业县| 华亭县| 徐州市| 通山县| 理塘县| 西吉县| 巴林右旗| 精河县| 重庆市| 芦溪县| 杭锦后旗| 剑河县| 古田县| 石泉县| 靖州| 西充县| 晋中市| 紫云| 东丽区| 高淳县| 承德县| 宁化县| 沛县| 宁远县| 佛学|