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SI4410DYPBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 3528  
說(shuō)明:
 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
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SI4410DYPBF-8-SOIC(0.154

SI4410DYPBF PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:38 ns
工廠包裝數(shù)量:95
上升時(shí)間:7.7 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:30 nC
下降時(shí)間:44 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):20 mOhms
漏極連續(xù)電流:10 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是SI4410DYPBF的詳細(xì)信息,包括SI4410DYPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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