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SI4410DYTRPBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 8-SO
數量:
 3537  
說明:
 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
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SI4410DYTRPBF-8-SO圖片

SI4410DYTRPBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:38 ns
工廠包裝數量:4000
上升時間:7.7 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:30 nC
下降時間:44 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):20 mOhms
漏極連續電流:10 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是SI4410DYTRPBF的詳細信息,包括SI4410DYTRPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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