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SI2365EDS-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOT-23-3(TO-236)
數量:
 7695  
說明:
 MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
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SI2365EDS-T1-GE3-SOT-23-3(TO-236)圖片

SI2365EDS-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:62 us
商標名:TrenchFET
上升時間:32 us
功率耗散:1.7 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:13.8 nC
下降時間:21 us
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-23 (TO-236)
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):32 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流:- 5.9 A
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI2365EDS-T1-GE3的詳細信息,包括SI2365EDS-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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