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SI2377EDS-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOT-23-3(TO-236)
數(shù)量:
 6993  
說明:
 MOSFET 20V 4.4A P-CH MOSFET
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SI2377EDS-T1-GE3-SOT-23-3(TO-236)圖片

SI2377EDS-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SI2377EDS-GE3
功率耗散:1.8 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:14 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :12 S
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-236
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.05 Ohms
漏極連續(xù)電流:- 4.4 A
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SI2377EDS-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI2377EDS-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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