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SI1469DH-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
數量:
 6084  
說明:
 MOSFET P-CH 20V SC-70-6
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SI1469DH-T1-GE3-6-TSSOP,SC-88,SOT-363圖片

SI1469DH-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 毫歐 @ 2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:2.7A
Id 時的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:8.5nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :470pF @ 10V
功率 - 最大:2.78W
安裝類型:表面貼裝

以上是SI1469DH-T1-GE3的詳細信息,包括SI1469DH-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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