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SI1499DH-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
數(shù)量:
 8559  
說(shuō)明:
 MOSFET P-CH 8V SC-70-6
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SI1499DH-T1-GE3-6-TSSOP,SC-88,SOT-363圖片

SI1499DH-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:78 毫歐 @ 2A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:1.6A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):800mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:16nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :650pF @ 4V
功率 - 最大:2.78W
安裝類型:表面貼裝

以上是SI1499DH-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI1499DH-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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