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SI1499DH-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
數(shù)量：: 8559
說(shuō)明：: MOSFET P-CH 8V SC-70-6

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SI1499DH-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：78 毫歐 @ 2A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：1.6A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：800mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：650pF @ 4V
功率 - 最大：2.78W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI1499DH-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI1499DH-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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