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SI1443EDH-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
數(shù)量:
 5913  
說明:
 MOSFET -30V 54mOhm@10V 4A P-Ch G-III
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SI1443EDH-T1-GE3-6-TSSOP,SC-88,SOT-363圖片

SI1443EDH-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI1443EDH-GE3
典型關(guān)閉延遲時間:1800 ns
上升時間:64 ns
功率耗散:2.8 W
柵極電荷 Qg:18.5 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :14 S
下降時間:420 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-363 (SC-70-6)
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):54 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:4 A
閘/源擊穿電壓:12 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI1443EDH-T1-GE3的詳細信息,包括SI1443EDH-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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