色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<dl id="42k4o"></dl>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SH8KC6TB1

SH8KC6TB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數量：: 10198
說明：: 60V DUAL NCH+NCH, SOP8, POWER MO

一、本商品被瀏覽0次.

SH8KC6TB1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W（Ta）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：460pF @ 30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.6nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：32 毫歐 @ 6.5A，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：6.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（雙）
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是SH8KC6TB1的詳細信息，包括SH8KC6TB1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1