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中文參數如下：
功率耗散：2 W
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：7 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：17 mOhms
漏極連續電流：9 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
以上是SH8M4TB1的詳細信息，包括SH8M4TB1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
