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SH8K39GZETB

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 8-SOP
數(shù)量:
 10474  
說明:
 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39
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SH8K39GZETB-8-SOP圖片

SH8K39GZETB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

封裝封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C(TJ)
功率 - 最大值:1.4W(Ta)
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1240pF @ 30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.7V @ 200μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):21 毫歐 @ 8A,10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):8A(Ta)
漏源電壓(Vdss):60V
FET 功能:-
配置:2 N-通道(雙)
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是SH8K39GZETB的詳細(xì)信息,包括SH8K39GZETB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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