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SH8K25GZ0TB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 24474
說明：: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW

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SH8K25GZ0TB1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1.4W（Ta）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：100pF @ 10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.7nC @ 5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：85mOhm @ 5.2A，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：5.2A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：40V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是SH8K25GZ0TB1的詳細信息，包括SH8K25GZ0TB1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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