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中文參數如下： 工廠包裝數量：30 安裝風格：Through Hole 最小工作溫度：- 55 C 集電極最大連續電流 Ic：48 A 包裝形式：Tube 封裝形式：TO-3P-3 最大工作溫度：+ 150 C 功率耗散：235 W 柵極—射極漏泄電流：+/- 100 nA 在25 C的連續集電極電流：48 A 柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V 集電極—射極飽和電壓：2.2 V 集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V 配置：Single RoHS：是 產品種類：IGBT 晶體管 制造商：Fairchild Semiconductor
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