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SGH40N60UFDM1TU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3P
數量：: 7776
說明：: IGBT 晶體管 600V/20A/WFRD

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SGH40N60UFDM1TU PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：30
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續電流 Ic：40 A
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：160 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 100 nA
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2.1 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SGH40N60UFDM1TU的詳細信息，包括SGH40N60UFDM1TU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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