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RQ3E100MNTB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-HSMT（3.2x3）
數量：: 7929
說明：: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

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RQ3E100MNTB1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：520 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：9.9 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：12.3 毫歐 @ 10A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：10A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：卷帶（TR）,卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RQ3E100MNTB1的詳細信息，包括RQ3E100MNTB1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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