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RQ3L090GNTB

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 8-HSMT(3.2x3)
數(shù)量:
 8982  
說明:
 MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
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RQ3L090GNTB-8-HSMT(3.2x3)圖片

RQ3L090GNTB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):2W(Ta)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1260 pF @ 30 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):24.5 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 300μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):13.9mOhm @ 9A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):9A(Ta),30A(Tc)
漏源電壓(Vdss):60 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RQ3L090GNTB的詳細信息,包括RQ3L090GNTB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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