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RQ3E100BNTB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-PowerVDFN
數量：: 10897
說明：: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10

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RQ3E100BNTB1 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝：8-PowerVDFN
封裝/外殼：8-HSMT（3.2x3）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
同步整流器：2W（Ta），15W（Tc）
頻率 - 開關：-
電流 - 輸出：1100 pF @ 15 V
電壓 - 輸出（最大值）：±20V
電壓 - 輸出（最小值/固定）：22 nC @ 10 V
電壓 - 輸入（最大值）：2.5V @ 1mA
電壓 - 輸入（最小值）：10.4 毫歐 @ 10A，10V
輸出數：4.5V，10V
輸出類型：10A（Ta），21A（Tc）
拓撲：30 V
輸出配置：MOSFET（金屬氧化物）
功能：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RQ3E100BNTB1的詳細信息，包括RQ3E100BNTB1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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