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RFN10NS6STL

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 LPDS
數(shù)量:
 1791  
說明:
 DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
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RFN10NS6STL-LPDS圖片

RFN10NS6STL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:LPDS
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:10 μA @ 600 V
反向恢復時間 (trr):50 ns
速度:快速恢復 = 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.55 V @ 10 A
電流 - 平均整流 (Io):10A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術(shù):標準
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RFN10NS6STL的詳細信息,包括RFN10NS6STL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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