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RFN3BGE6STL

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 TO-252
數量:
 1423  
說明:
 DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
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RFN3BGE6STL-TO-252圖片

RFN3BGE6STL PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:TO-252
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:10 μA @ 600 V
反向恢復時間 (trr):30 ns
速度:快速恢復 = 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.55 V @ 3 A
電流 - 平均整流 (Io):3A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術:標準
產品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RFN3BGE6STL的詳細信息,包括RFN3BGE6STL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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