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RDN100N20

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 TO-220FN
數量:
 4428  
說明:
 MOSFET
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RDN100N20-TO-220FN圖片

RDN100N20 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:38 ns
上升時間:29 ns
功率耗散:35 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:26 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220FN
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.36 Ohms
漏極連續電流:10 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:ROHM Semiconductor

以上是RDN100N20的詳細信息,包括RDN100N20廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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