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RDN120N25

廠家：
  Rohm Semiconductor
封裝：
 TO-220FN
數(shù)量：
 4446  
說(shuō)明：
 MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
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RDN120N25-TO-220FN圖片

RDN120N25 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C210 毫歐 @ 6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)250V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）-
閘電荷(Qg) @ Vgs62nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1224pF @ 10V
功率 - 最大40W
安裝類型通孔

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