色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > PN200_D26Z

PN200_D26Z

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92-3
數(shù)量：: 5517
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose

一、本商品被瀏覽0次.

PN200_D26Z PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：250MHz
功率 - 最大值：625 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，1V
電流 - 集電極截止（最大值）：50nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：400mV @ 20mA，200mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：45 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：500 mA
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是PN200_D26Z的詳細(xì)信息，包括PN200_D26Z廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：