中文參數如下：
包裝形式：Bulk
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：240 at 100 uA at 1 V
增益帶寬產品fT：250 MHz
最大直流電集電極電流：0.5 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：45 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor
以上是PN200A_Q的詳細信息，包括PN200A_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
